Nitreto de silício (Si₃N₄) é um material dielétrico que pode ser utilizado como material protetor (passivation), sendo depositada uma camada fina sobre todo o dispositivo, evitando contaminação e envelhecimento dos materiais. Este é um material muito utilizado na proteção de microeletrónica.

Frequentemente, os filmes de nitreto de silício são depositados por CVD (Chemical Vapour Deposition). No entanto, esta técnica não está disponível no departamento de eletrónica e portanto impõe-se o fabrico recorrendo às técnicas existentes no departamento. A técnica escolhida para o fabrico deste material é o RF sputtering, já mencionada na bibliografia com possível alternativa ao CVD.